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达林顿管

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970
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  • 类型: NPN
  • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
  • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 10000@5V,100mA
  • 功率(Pd): 250mW
  • 5+: 

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  • MMBT6427LT1G
  • 品牌: onsemi(安森美)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: 此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适合低功率表面贴装应用。
  • 类型: NPN
  • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
  • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 20000@5V,100mA
  • 功率(Pd): 225mW
  • 10+: 

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  • 类型: NPN
  • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
  • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@3V,3A
  • 功率(Pd): 2W
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  • 类型: NPN
  • 集射极击穿电压(Vceo): 90V
  • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@2V,1A
  • 功率(Pd): 2W
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  • 类型: PNP
  • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
  • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@3V,3A
  • 功率(Pd): 2W
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  • 类型: PNP
  • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
  • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 10000@5V,100mA
  • 功率(Pd): 1.3W
  • 9.9 折
    • 订单数量按照以下:
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    • 第二阶梯10
    • 第三阶梯10
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    • 第五阶梯9.9
    • 第六阶梯9.9
  • SMT扩展库
    • 9.9 折
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      • ¥1.4393
      • ¥1.2908
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 30V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 20000@5v,100mA
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    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 30V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 30000@2V,20mA
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      ¥0.1782
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 10000@5V,100mA
    • 功率(Pd): 1W
  • 9.6 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.6
    • 第二阶梯9.6
    • 第三阶梯9.6
    • 第四阶梯9.6
    • 第五阶梯9.6
    • 第六阶梯9.6
  • SMT扩展库
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      ¥1.03632
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      ¥0.829536
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      ¥0.740928
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    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@4V,5A
    • 功率(Pd): 125W
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    • 近期成交15单
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 120V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 2000@5V,1A
    • 功率(Pd): 1W
  • 9.5 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.5
    • 第二阶梯9.5
    • 第三阶梯9.5
    • 第四阶梯9.5
    • 第五阶梯9.5
    • 第六阶梯9.5
  • SMT扩展库
    • 9.5 折
      • 5+: 
      • 50+: 
      • 150+: 
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    • 总额: ¥0
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    • 总额: ¥0
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    • 近期成交25单
      已加购
    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 80V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 10000@5V,100mA
    • 功率(Pd): 300mW
    • 10+: 

      ¥0.367503
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    • 广东仓: 1140
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    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交35单
      已加购
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    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 1000@3V,0.5A
    • 功率(Pd): 2W
    • 5+: 

      ¥1.4768
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    • 广东仓: 1605
      江苏仓: 400
    • 50个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交7单
      已加购
    • BSP52T1G
    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: SOT-223-3
    • 描述: 此 NPN 双极达林顿晶体管适用于打印字锤、继电器、电磁阀和灯驱动器等开关应用。此器件采用 SOT-223 封装,适用于中等功率表面贴装应用。
    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 80V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 2000@10V,500mA
    • 功率(Pd): 800mW
    • 5+: 

      ¥2.3982
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      ¥1.9473
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    • 广东仓: 985
      江苏仓: 35
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    • 1000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交18单
      已加购
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    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 30V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 10000@5V,100mA
    • 功率(Pd): 200mW
  • 领券
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  • SMT扩展库
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    现货最快4H发
    • 广东仓: 4760
      江苏仓: 0
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交10单
      已加购
    • 5+: 

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      ¥1.561
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    • 500+: 

      ¥1.1969
    现货最快4H发
    • 广东仓: 700
      江苏仓: 0
    • 50个/管
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交5单
      已加购
    • 类型: PNP
    • 集射极击穿电压(Vceo): 60V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 10000@5V,100mA
    • 功率(Pd): 250mW
  • 9.9 折
    • 订单数量按照以下:
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    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
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    • 品牌: onsemi(安森美)
    • 封装: TO-225-3
    • 描述: 该中等功率 NPN 达林顿双极功率晶体管用作互补通用放大器应用中的输出器件。
    • 类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 750@3V,1.5A
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    • 类型: NPN
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    • 直流电流增益(hFE@Vce,Ic): 10000@5V,100mA
    • 功率(Pd): 1.3W
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    • 集射极击穿电压(Vceo): 100V
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